Каталог товаров:

Компания INLINE всегда открыта для сотрудничества с новыми клиентами. Для этого мы предлагаем вам зарегистрироваться, чтобы иметь более полную информацию по товарам и ценам, а также специальным условиям и маркетинговым акциям.

Поиск в каталоге:
DIMM DDR3
Модуль памяти DDR3 DRAM 1GB PC-3 10666 (1333MHz) Elixir Orig.

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RAEL1GDDR31333
Модуль памяти DDR3 DRAM 2GB PC3-10600 (1333MHz) Hynix-1 Original

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RAHY2GDDR3-1333
Модуль памяти DDR3 DRAM 4GB PC3-10600 (1333MHz) Hynix-1 Original

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RAHY4GDDR3-1333 P/n: HMT351U6BFR8C-H9N0
Модуль памяти DDR3 DRAM 2GB PC-3 10600 (1333MHz) Kingston [KVR1333D3S8N9/2G] RET

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц , 1Rx8 256M x 64-Bit

индекс: RAKN2GDDR31333D3S8N9 P/n: KVR1333D3S8N9/2G
Модуль памяти DDR3 DRAM 1GB PC-3 10660 (1333MHz) Kingston RET [KVR1333D3N9/1GB] RET

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц , CL 9

индекс: RAKN1333D3N9_1G P/n: KVR1333D3N9/1GB
Модуль памяти DDR3 DRAM 4GB PC-3 10600 (1333MHz) Kingston [KVR1333D3N9/4G] RET

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц , CL9

индекс: RAKN4DDR31333 P/n: KVR1333D3N9/4G
Комплект модулей памяти DDR3 DRAM 4GB (2x2Gb) PC-3 10600 (1333MHz) Kingston [KVR1333D3N9K2/4G] RET

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц , CL9

индекс: RAKN4DDR31333KIT P/n: KVR1333D3N9K2/4G
Модуль памяти DDR3 DRAM 4GB PC-3 10666 (1333MHz) NCP

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RANCP4GDDR31333
Модуль памяти DDR3 DRAM 2GB PC-3 10666 (1333MHz) NCP

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RANCP2GDDR31333
Модуль памяти DDR3 DRAM 1GB PC-3 10666 (1333MHz) Patriot RET

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RAPT1GDDR31333 P/n: PSD31G13332
Модуль памяти DDR3 DRAM 2GB PC-3 10666 (1333MHz) Patriot

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RAPT2GDDR31333 P/n: PSD32G133381
Модуль памяти DDR3 DRAM 1GB PC-3 10666 (1333MHz) SEC-1 ( Samsung Original)

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RASEC1GDDR31333
Модуль памяти DDR3 DRAM 2GB PC-3 10666 (1333MHz) SEC-1 ( Samsung Original)

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RASEC2GDDR31333
Модуль памяти DDR3 DRAM 4GB PC-3 10666 (1333MHz) SEC-1 ( Samsung Original)

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RASEC4GDDR31333
Модуль памяти DDR3 DRAM 1GB PC-3 10666 (1333MHz) Silicon Power

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RASP1GDDR31333
Модуль памяти DDR3 DRAM 2GB PC-3 10666 (1333MHz) Transcend Jetram

DIMM 240-контактный,пропускная способность 10600 Мб/с, тактовая частота 1333 МГц

индекс: RATS2GDDR31333