Поиск в каталоге

DIMM DDR4

21300 Мб/с, 1.2W, 288pin, CL16, tRCD16, tRP16

индекс: RAKNH_M378A2G43MX3-CTD00 P/n: M378A2G43MX3-CTD

21300 Мб/с, 1.2W, 288pin

индекс: RAKNH_M378A2K43CB1-CTD P/n: M378A2K43CB1-CTD

SO-DIMM 204-контактный,пропускная способность 21300 Мб/с, 1.2V

индекс: RAKNH_M471A5244CB0-CTD P/n: M471A5244CB0-CTD

SO-DIMM 204-контактный,пропускная способность 21300 Мб/с, 1.2V

индекс: SODM471A1K43CB1-CTD P/n: M471A1K43CB1-CTD

SO-DIMM 204-контактный,пропускная способность 21300 Мб/с, 1.2V

индекс: SODM471A2K43CB1-CTD P/n: M471A2K43CB1-CTD

SO-DIMM 260-контактный,пропускная способность 25600 Мб/с, 1.2V

индекс: RAKNH_M471A5244CB0-CWE P/n: M471A5244CB0-CWE

SSD M.2 (2280), cкорость чтения/записи 2900/1300 Mb/s

индекс: SSDSamsung_MZ-V8V250BW P/n: MZ-V8V250BW

SSD М.2, PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4 cкорость чтения/записи 3500/3000 Mb/s, Samsung Pablo Controller, MLC 3D NAND, 2280, 80,15 x 22,15 x 2,38 мм., 8гр.

индекс: SSDSamsung_MZ-V8V500BW P/n: MZ-V8V500BW

SSD M.2 (2280), cкорость чтения/записи 7000/5000 Mb/s, V-NAND 3-bit MLC, PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe 1.3, 80.15 x 22.15 x 2.38мм

индекс: SSDSamsung_MZ-V8P2T0BW P/n: MZ-V8P2T0BW

SSD М.2, PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4 cкорость чтения/записи 3500/3000 Mb/s, Samsung Pablo Controller, MLC 3D NAND, 2280, 80,15 x 22,15 x 2,38 мм., 8гр.

индекс: SSDSamsung_MZ-V8V1T0BW P/n: MZ-V8V1T0BW